湖南大学纳米光子学小组与美国亚利桑那州立大学合作，将半导体激光芯片调谐范围（指发光波长所能调节的范围）扩大，成功地演示出500纳米绿光直至700纳米红光，创造了新的半导体激光器调谐范围世界纪录。据介绍，此前半导体激光器调谐范围最长只能达到几十纳米。

    这一科研项目的领衔学者邹炳锁教授介绍，反映这一成果的论文发表在最近一期国际最权威纳米专业杂志《纳米快报》上。这项成果将可能在新光源、光通讯、分子和生物传感、太阳能电池等领域产生很多应用。

    据介绍，国内外的许多激光专家都在研究如何提高半导体激光器的调谐范围，以更充分发挥激光的作用。但一个重要的制约因素是无法攻克发光材料和基底材料的结构匹配，导致材料成分无法大幅调节，因此无法实现激光的大范围调谐。邹炳锁教授领衔的纳米光子学小组另辟蹊径，采用一维纳米结构生长技术，避免了材料中的结构配合问题，可制出成分大范围调节的纳米线。纳米光子学小组又通过与美国亚利桑那州立大学的光子学团队合作，实现了从绿光、黄光、橙光到红光的单芯片上可调谐的激光发射，解决了这一国际难题。