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详细信息
绝缘子灰密对污闪电压的影响
(发布日期:2011-1-7 10:09:47) 来源:
ρ
NSDD 与污闪电压Uf 的关系
在
ρ
ESDD 分别为0. 026 mg/ cm2、0. 068 mg/ cm2及0. 14 mg/ cm2 时试验研究了XP - 160 悬式瓷绝缘子
Uf
随
ρ
NSDD 变化的关系, 试验结果如表3 , 试验得到的
Uf
标准偏差在7 %之内。对表3 的试验结果进行曲线拟合, 可得到同一
ρ
ESDD下
Uf
与
ρ
NSDD 的关系, 如图3 所示。
图3 可知, 不同
ρ
ESDD 下7 片串人工污秽绝缘子串的
Uf
均随着
ρ
NSDD 增加而下降; 并且
ρ
NSDD 较小时, 随
ρ
NSDD 的增加
Uf
下降较快, 随着
ρ
NSDD 的继续增加,
Uf
下降趋势变缓, 这种趋势与绝缘子串闪络电压和
ρ
ESDD 之间的关系一致。对表3 或图3 试验结果数据组进行分析和曲线拟合可知,
Uf
随
ρ
NSDD 增加而下降的趋势也满足幂函数规律, 即:
Uf
=
B
ρ
-
b
NSDD ( 2)式中:
B
为与绝缘子形状和污秽程度等有关的系数;
b
为表征绝缘子串闪络电压随
ρ
NSDD 变化而改变的特征指数。
武汉鸿志高测电气技术有限公司
所在区域:
湖北.武汉
邮编:
740070
公司地址:
武汉市东湖新技术开发区光谷大道303号光谷芯中心D4-02-403
联系人:
姚建军
先生 (市场部经理)
办公电话:
027-87734646
传真: 027-87734646
移动电话:
18064067787
电邮:
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