ρNSDD 与污闪电压Uf 的关系

在ρESDD 分别为0. 026 mg/ cm2、0. 068 mg/ cm2及0. 14 mg/ cm2 时试验研究了XP - 160 悬式瓷绝缘子Uf 随ρNSDD 变化的关系, 试验结果如表3 , 试验得到的Uf 标准偏差在7 %之内。对表3 的试验结果进行曲线拟合, 可得到同一ρESDD下Uf 与ρNSDD 的关系, 如图3 所示。

 

图3 可知, 不同ρESDD 下7 片串人工污秽绝缘子串的Uf 均随着ρNSDD 增加而下降; 并且ρNSDD 较小时, 随ρNSDD 的增加Uf 下降较快, 随着ρNSDD 的继续增加, Uf 下降趋势变缓, 这种趋势与绝缘子串闪络电压和ρESDD 之间的关系一致。对表3 或图3 试验结果数据组进行分析和曲线拟合可知, Uf 随ρNSDD 增加而下降的趋势也满足幂函数规律, 即:Uf = Bρ- bNSDD ( 2)式中: B 为与绝缘子形状和污秽程度等有关的系数; b 为表征绝缘子串闪络电压随ρNSDD 变化而改变的特征指数。