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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜 
(发布日期:2021-3-1 14:03:06) 来源:
 
   

河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源溅射沉积半导体 IGZO 薄膜.

 

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

型号

RFICP140

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>600 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

14 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

5-30 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

24.6 cm

直径

24.6 cm

中和器

LFN 2000

 

试验采用射频(RF)磁控溅射沉积方法在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体 InGaZnO4IGZO)薄膜并对薄膜进行X线衍射(XRD)、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.

 

结果表明:

实验所获样品 IGZO 薄膜为非晶态薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm, 根据光学性能测试结果, IGZO 薄膜在 200350nm 的紫外光区有较强吸收 400900nm 的可见光波段的透过率为75%~97.

 

相比传统的有以下优点:

更小的晶体尺寸设备更轻薄;全透明对可见光不敏感能够大大增加元件的开口率提高亮度降低功耗的电子迁移率大约为比传统材料进步非常明显面板比传统面板有了全面的提升.

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

KRI 离子源是领域公认的领导者已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵检漏仪质谱仪真空计美国 KRI 考夫曼离子源美国HVA 真空阀门美国 inTEST 高低温冲击测试机美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

 

 
伯东企业(上海)有限公司
所在区域: 上海.上海 邮编: 200131
公司地址: 上海市外高桥保税区希雅路33号17号楼B座3层,200131 联系人:张婷婷 女士 (销售工程师)
办公电话: 021-50463511转106 传真: 021-50461490
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