IBM微电子公司的研究人员近日开发出了一种使用铜线的CMOS成像器。目前铝互连是图像传感器中所通用的，因为这些工艺都是基于老式的基本原理不严格的技术节点，一般是0.18微米工艺，有的甚至不止0.18微米。 在此次国际电子设备大会上研究人员表示，铜互连对于微电子领域的优点，同样适用于图像传感器。

　　铜互联技术以两种方式提高了像素性能：第一，它减少了层间电介质所需的抛光，改进了光路径的统一；第二，它降低了金属厚度，使光路径变得更薄。研究人员在这个CMOS成像器中采用了一个四晶体管共享像素架构。他们穿透了光电晶体管上的整个电介质层，并在表面镀上一层硅氮化物，形成了一个光导管，接着往这个光导管里添加了一个有机平面层。

　　为了测试光导管旁边的铜线的可靠性，他们创建了一个叠孔结构，对其进行了一次加速的湿度测试（130摄氏度，相对湿度85％）并观察介层电阻的改变，最后通过测量光导管的量子效率来衡量其光学性能。

　　研究人员发现，如果能更好地控制光导管和相邻铜线的间距，铜互连可靠性还能够进一步提高。此外，他们还在一个220万像素成像器上达到了所有主要颜色（红、蓝、绿），量子效率都 高于35％的效果。